9月10日，半导体硅晶圆厂内行晶董事长徐秋兰通告，内行晶已开发出12吋方形碳化硅晶圆。

图片起首：内行晶

徐秀兰暗意，在以前60年来，半导体硅晶圆齐是呈现圆形，后续制造也齐所以圆形硅晶圆为基础来考量。因此若改继承方形片，不单需要制程才能，还需要拓荒才能，因为并莫得现成拓荒可用，干系左近也要随着变化，不然以晶圆盒来说，方形晶圆会比盒子还大，「连盒子齐没得装」。或是如硅晶圆不透光，碳化硅晶圆却透光，因此量测方面的问题也要贬责。

另外，徐秀兰提到，当今商场上8吋碳化硅晶圆所以雷射切割，但12吋碳化硅晶圆切割神气仍待开发。相较于其他作念碳化硅的业者，莫得12吋晶圆的训戒，内行晶已领有12吋晶圆的好多训戒，仅仅以前是分娩硅居品，而不是碳化硅，如今该公司依然开发出无谓雷射的12吋碳化硅晶圆切割活动。

内行晶前身是中好意思硅晶成品股份有限公司，2011年，中好意思硅晶将三大劳动体（太阳能、半导体、蓝扶直）安详分割，内行晶圆股份有限公司树立。

内行晶的居品光谱横跨3至12吋，包括抛光片、退火片、SOI芯片、FZ芯片等，可把握于医疗器材、风力发电、高速铁路、车用电子、航天拓荒等多个边界。此外，公司还积极布局碳化硅晶圆边界，其位于好意思国德州谢尔曼市的12英寸SiC晶圆厂已好意思满量产。据悉，该工场居品残障密度降至0.15/cm²，眩惑了英飞凌、安森好意思等车用芯片大厂坚硬五年长约。

8月，内行晶（GlobalWafers）通告已于6月从好意思国《芯片法案》得到略超2亿好意思元（约合东说念主民币14.4亿元）的资金，约为其客岁得到的拨款总和的一半。

稍早少许的5月份，内行晶通告其位于好意思国德州谢尔曼市的12英寸晶圆新厂崇拜启用，当今新厂拓荒进驻率已达30%-40%，并启动小限制分娩。据公开云尔先容，该工场GWA继承一贯制程的分娩格局，好意思满了 “一条龙分娩”。

此外，该园区总占地142英亩，可容纳多达六期的扩建。在工场启用的同期，内行晶通告计较在现存35亿好意思元投资的基础上，追加 40亿好意思元用于该工场第三、四期扩建工程，完成二阶段开发后，厂区尚具备空间可进行第五、第六期扩建。

（文/集邦化合物半导体整理）

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